京东方华灿光电申请晶体管及其制备方法专利, 能形成欧姆接触凹槽

发布日期：2025-06-09 17:02    点击次数：90

金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN119993836A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。包括：依次制作缓冲层、沟道层、势垒层、第一介质层、刻蚀阻挡层和第二介质层；在第一刻蚀条件下，采用第一刻蚀气体对第二介质层进行图形化处理；去除对第二介质层进行图形化处理过程中，第一刻蚀气体和刻蚀阻挡层反应产生的杂质；在第二刻蚀条件下，采用第二刻蚀气体对刻蚀阻挡层进行图形化处理；在第三刻蚀条件下，采用第一刻蚀气体对第一介质层进行图形化处理；在第四刻蚀条件下，以所述第二介质层作为硬掩膜，采用第二刻蚀气体对沟道层和势垒层进行图形化处理，形成欧姆接触凹槽。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，专利信息964条，此外企业还拥有行政许可36个。

本文源自：金融界